
НИИЭТ представил две новые модели GaN-транзисторов
Воронежский НИИЭТ расширил линейку полупроводников, представив две модели нитрид-галлиевых транзисторов, рассчитанных на работу в экстремальных условиях. Разработки, способные выдерживать напряжение до 130 В, предназначены для использования в высокочастотной аппаратуре, радиолокационных станциях и системах радиоэлектронной борьбы, отвечая запросам отечественной промышленности на создание надежной компонентной базы.






















/https://274418.selcdn.ru/cv08300-33250f0d-0664-43fc-9dbf-9d89738d114e/uploads/656444/d9d29fa4-2c7a-419c-8084-c05a583743d4.png)
